檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "doping".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="活化能"
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這項研究研究了通過嵌入複合氮化鋁緩衝層(AlN BL),可以在少層石墨烯(FLG)/藍寶石基板上生長高質量GaN薄膜。複合氮化鋁緩衝層分別通過濺鍍和金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)生長的低溫AlN…
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本實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜,採用陽極層離子源同時通入氬氣以及氮氣,以氧化鋅為靶材,成功的製備出摻氮氧氧化鋅薄膜。陽極層離子源具高電流之特性,可以提高濺擊產率增加薄膜沉積速度,且氮…